三星电子和IBM公布半导体设计击破将能源使用量减少85%
12月16日消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管(VTFET)。 两家公司于12月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管(finFET)相比，新的半导体设…
- 2026年06月10日
- 星期三
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